mos管的基本引數，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應用中，開關速度這個指標比較重要。
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上圖四項指標，第一項是導通延時時間，第二項是上升時間，第三項是關閉延時時間，第四項是下降時間。定義如下圖：
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在高速H橋應用中，MOS管內部的反向並聯寄生二極體的響應速度指標Trr，也就是二極體的反向恢復時間這個指標很重要，否則容易炸機，下圖為高速二極體。
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高速下，二極體也不是理想的，二極體導通後，PN節中充滿了電子和空穴，當瞬間反向加電的時候，需要時間恢復截止，這個類似一扇門打開了，需要時間關上，但在高速下，這個關上的時間太長，就會導致H橋上下管子導通而燒壞。所以在高速應用中，直接因為MOS管工藝寄生的二極體的反向恢復時間太長，所以需要用特殊的工藝製作實現高速的內建二極體，但哪怕特殊工藝製作的，其效能也達不到獨立的高速二極體效能，只是比原MOS管寄生的指標強一些而已，但已經滿足大部分軟開關的需求了，500KHz下沒問題。比如Infineon的C6系列，字尾帶CFD的管子，內部的二極體就是高速的。
若有些場合需要更高速的二極體，而內建的二極體效能達不到，則需要特殊的處理方式，MOS管先串聯二極體，再外部並二極體，這樣子實現，可以應用於頻率超過500KHz的場合。


轉自雨滴科技技術論壇-鳳舞天