STM32103C8T6 FLASH模擬EEPROM實驗
《STM32中文手冊》根據晶片想型號找儲存地址。我是用是STM32F103C8T6 那麼我需要查看錶3，同時需要記得每頁為1K位元組
STM32F103C8T6 屬於中容量產品，但是flash是64K的而不是128K的。記憶體參照表3但是不完全一樣。
表3 ：儲存的資料比較少，我選擇地址為62頁（0x0800 F800 -0x0800 FBFF）和63頁 （0x0800 FC00 -0x0800 FFFF）
共2K的flash.
flash的程式設計參照
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