集微網訊息 先前傳出三星電子良率差，影響高通旗艦晶片“Snapdragon 8 Gen 1”表現，高通因而轉單臺積電。中國臺灣媒體最新訊息稱，改由臺積電代工後，增強版“Snapdragon 8 Gen 1 Plus”耗電量仍高於預期，高通恐怕得被迫降頻。

3 月 30 日高通大跌 5.18%，收 152.73 美元。今年以來，高通挫低 16.48%。

NotebookCheck 30 日報導，韓國科技論壇 Meeco 的可靠爆料人，引述訊息人士說法稱，高通增強版旗艦晶片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 的 Cortex X2 核心相當耗能；高頻率吃電狀況尤為嚴重。外界原以為高通處理器耗電，是因三星製程欠佳，雖然此說法有一定程度真實性，新訊息顯示，高通 Arm 核心設計或許也導致處理器表現差強人意。

高通可能得降頻處理器 Cortex X2 核心。這表示 Snapdragon 8 Gen 1 和 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 效能差異不會太大。儘管如此，有臺積電加持，Plus 增強版晶片表現仍有望優於非 Plus 系列。

外界盛傳 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 將在 6 月釋出。通常一個月後，採用此晶片的智慧手機就會問世。多款中國大陸廠商的旗艦機將使用此處理器，包括 OnePlus 10 Ultra、華為 Mate 50、小米 Mix Fold 2、小米 12 Ultra。