1 月 12 日訊息，根據外媒 techspot 報道，本月早些時候，英國蘭開斯特大學物理與工程系的研究人員發表了一篇論文，詳細介紹了 UltraRAM“超高效儲存”技術近期取得的重要進展。

這項技術的目標是將非易失快閃記憶體 NAND、易失性記憶體 RAM 結合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。此前，英特爾 Optane 傲騰已經做出了先行嘗試，量產了傲騰記憶體產品，但是仍不足以完全替代 RAM。與此同時，三星也有 Z-NAND 技術，鎧俠和西部資料也希望將 XL-FLASH 儲存應用到消費級或企業級儲存產品中。

具體來看，UltraRAM 晶片的製造工藝，與 LED、鐳射器、光電電晶體等半導體元件相似。從結構上看，這種儲存技術採用矽襯底，相比砷化鎵成本大幅降低

科學家表示，UltraRAM 的製造成本比較低，其擁有很高的價效比。目前已經制造出的測試用原型，可以保證資料能夠儲存 1000 年，擦寫次數可以超過 1000 萬，幾乎不需要考慮耐久性。如果這種儲存晶片能夠實現比肩傳統 RAM 的速度的話，將會對行業產生重大影響。

製造過程圖解：

瞭解到，UltraRAM使用“共振隧穿”量子力學效應，在施加電壓後，允許勢壘從不透明轉為透明。與 RAM 和 NAND 快閃記憶體使用的寫入技術相比，UltraRAM 的寫入過程非常節能，因此有助於提高移動裝置的續航時間。

蘭開斯特大學的研究人員表示，他們需要進一步改進儲存單元的製造工藝，提高儲存密度。這項技術有很大的潛力，可以消除傳統計算機與專用記憶體進行資料傳輸的過程。