3 月 25 訊息，據國外媒體報道，SK 海力士是全球重要的儲存晶片製造商，他們在去年 10 月份同英特爾達成了協議，將以 90 億美元收購英特爾大部分的 NAND 快閃記憶體及儲存業務，收購之後就將超過日本的 Kioxia，成為僅次於三星的全球第二大 NAND 快閃記憶體製造商，並會縮小與三星的差距。

除了通過收購擴大規模、獲得智慧財產權及研發人員，SK 海力士也在致力於研發更先進的 DRAM 和 NAND 產品。

韓國媒體的報道顯示，在 2021 年 IEEE（電氣電子工程師學會）國際可靠性物理研討會上發表演講時，SK 海力士 CEO 李錫熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未來十年，他們將致力於克服材料、結構和可靠性方面的挑戰，開發 10nm 以下工藝的 DRAM 和 600 堆疊層的 NAND。

在報道中，韓國媒體表示，研發 10nm 以下工藝的 DRAM，要求 SK 海力士等半導體廠商，克服光刻技術方面的挑戰。

在 NAND 方面，SK 海力士已經研發出了 176 層堆疊的 3D NAND。